百億長約鎖定AI伺服器商機
三星電機今年5月宣布，與全球大型客戶簽訂總值約10億美元的矽電容長期供貨合約，交貨期自2027年起延續至2028年。這項合作不僅反映矽電容在AI伺服器與高性能運算（HPC）領域的戰略重要性，也顯示業界對電源完整性需求的急劇增長。三星電機進一步透露，將矽電容、多層陶瓷電容（MLCC）與封裝基板整合的策略布局，以因應封裝級電源管理的挑戰。
隨著AI伺服器效能不斷提升，GPU熱設計功耗（TDP）持續攀升，對電源穩定性的要求也日益嚴苛。為確保運算穩定，Power Shelf、電壓調節模組（VRM）、DC-DC轉換器及OAM板等關鍵組件均需大量MLCC進行濾波與穩壓。然而，當AI加速器平台朝向chiplet架構、高頻寬記憶體（HBM）及高密度先進封裝演進時，電源完整性的挑戰已從傳統PCB板端延伸至封裝內部。
在多晶片模組（multi-die）架構中，GPU內部可能包含運算晶片、I/O晶片及NVLink I/O晶片等多個模組，並與HBM、矽中介層及封裝基板共同構成高密度系統。每個晶片與電源域均需獨立且快速響應的去耦網路，以應對瞬間電流變化。TrendForce集邦科技分析指出，在這種架構下，僅依賴板端MLCC可能導致電流路徑過長，寄生電感將限制瞬態響應速度，進而影響系統穩定性。